超卓的挑选功率密度和热功用,愈加紧凑和牢靠的选用规划。
选用TO-LL封装的挑选。意法半导体。选用SiC。挑选 MOSFET。选用将第3代STPOWER SiC技能的挑选固有特性与TO-LL封装超卓的散热和 。电流。选用功用集于一身 。挑选这些规划元素一起完成了超卓的选用开关功用、牢靠性和热办理功用 ,挑选而附加的选用Kelvin源引线则可协助规划人员进一步下降开关损耗 。
为什么要挑选选用TO-LL封装的挑选SiC MOSFET?
紧凑型无引线封装。
大型显露式漏极焊盘 。选用
削减厚度 :2.3mm。挑选
额定的Kelvin源引脚 。
在全温度范围内具有较低的RDS(on)。
高速开关功用 。
安稳的快速本体 。二极管。
SCT040TO6。5G。3 碳化硅功率MOSFET 650V 、40mOhm典型值、35A ,选用TO-LL封装。
SCT055TO65G3 碳化硅功率MOSFET 650V、58mOhm典型值、30A,选用TO-LL封装。
引荐资源。
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第3代STPOWER SiC MOSFET:面向工业使用的立异技能。
该产品具有极低的RDS(on)以及愈加超卓的开关频率和能效体现,可以有用协助规划人员减缩体系尺度和分量。意法半导体第3代SiC MOSFET针对很多工业使用进行了优化,包含用于 。AI。服务器 、太阳能转化体系、伺服。驱动器。、 。电机操控。器材和其他工厂自动化元件的高功率密度PSU 。
电源办理 。攻略。
意法半导体电源办理攻略全面介绍了针对各种使用量身定制的电源解决方案,其间包含AI服务器的电源 。该攻略强调了高效电源办理在提高功用、下降能耗和保证牢靠性方面的重要性。